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深圳瑞科创电子有限公司
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供应CMAC|RAKON|KVG|KDS温补晶振
CMAC|RAKON|KVG|KDS温补晶振
CMAC|RAKON|KVG|KDS温补晶振
无铅*型
直插式
工业电子电气设备
产品信息
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillators 温补晶振
TCVCXO Temperature Compensated Voltage Controlled Oscillators 温补压控晶振
温补晶振 TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 5.0V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
一、温补晶振的应用
通讯、航空、航天、军事、移动通信、数字程控交换机、网络传输、接入网、光传输、雷达、导航、电子对*、无线通信、测试设备、锁相环电路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窝基站、频率合成器
二、温补晶振的主要技术指标
1)温补晶振 频率范围:1.00-80.00MHz
2) 温补晶振的频率准确度: A ≤±1.0ppm @25℃ B ≤±0.5ppm @25℃
3) 温补晶振的频率调整: 1 Ageing adjustment: ≥ ±5ppm
2 No frequency adjustment
4) 温补晶振的工作温度范围: C -20-+70℃ D -40-+85℃ E -55-+105℃
5) 温补晶振的温度频率稳定度:F ±0.28ppm G ±0.5ppm H ±1.0ppm
I ±1.5ppm J ±2.0ppm K ±2.5ppm
6) 温补晶振的输出波形: 1 Sine 正弦波 2 Hcmos 方波 3 Clipped Sine 削峰正弦波
7) 温补晶振的工作电压范围: L 3.3V±10% M 5.0V±10%
8) 温补晶振的频率老化率: ±1ppm maximum in first year,±3ppm maximum for 10 years
9) 温补晶振的相位噪声:
|
Frequency |
10Hz |
100Hz |
1kHz |
10kHz |
100kHz |
|
13.0MHz |
–95 dBc/Hz |
–120dBc/Hz |
–135dBc/Hz |
–140dBc/Hz |
–145dBc/Hz |
10) 温补晶振的封装、尺寸:
N DIP 21*13*5mm O DIP 18*12*5mm P DIP 20*20*10mm Q DIP 36*27*16mm
R SMD 5*3*1mm S SMD 7*5*2mm T SMD 9*7*3mm U SMD 14*9*6mm
11) 温补晶振的储存温度范围： -55-+125℃
三、产品定型 RTT-10MHZ-B 2 D G 1 M S
|
|
频率 |
准确度 |
频率调整 |
温度范围 |
稳定性 |
波形 |
电压 |
尺寸 |
|
RTT |
10 |
B |
2 |
D |
G |
1 |
M |
S |
|
RTT |
10MHZ |
±0.5ppm @25℃ |
No frequency adjustment |
-40-+85 ℃ |
±0.5ppm |
Sine |
5.0V |
SMD 7*5*2mm |
温补晶振 TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±0.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
各*温补晶振.温补晶振指标：
Ractron温补晶振,温补压控晶振 Vectron温补晶振，温补压控晶振
Citizen温补晶振, 温补压控晶振 Cmac温补晶振, 温补压控晶振
NDK温补晶振, 温补压控晶振 Rakon温补晶振, 温补压控晶振
Raltron温补晶振, 温补压控晶振 TDK温补晶振, 温补压控晶振
常用温补晶振，温补压控晶振的技术规格有：
温补晶振 TCXO 10MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 10MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO20MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 20MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±1.0ppm, －20℃~ +70℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 5×3mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±1.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±2.0ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm
温补晶振 TCXO 40MHz ±2.5ppm, －40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5mm